Под заказ
3 дня
203,30 BYN
250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
316,20 BYN
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2100 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
569,20 BYN
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2100 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
368,80 BYN
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 450000/550000 IOps
В корзину
Под заказ
3 дня
163,30 BYN
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
1 093,70 BYN
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
В корзину
Под заказ
3 дня
В корзину
Под заказ
3 дня
151,90 BYN
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1591/594 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
406,60 BYN
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 МБайт/с, DRAM-буфер
В корзину
Под заказ
3 дня
1 905,20 BYN
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
В корзину
Под заказ
3 дня
3 175,20 BYN
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
В корзину
Под заказ
3 дня
189,90 BYN
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 MBps
В корзину