Под заказ
3 дня
169,10 BYN
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
1 205,90 BYN
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
В корзину
Под заказ
3 дня
В корзину
Под заказ
3 дня
157,30 BYN
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1591/594 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
421,10 BYN
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 МБайт/с, DRAM-буфер
В корзину
Под заказ
3 дня
2 411,70 BYN
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
В корзину
Под заказ
3 дня
194,90 BYN
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
188,80 BYN
2.5", SATA 3.0, микросхемы SLC, последовательный доступ: 520/430 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
513,00 BYN
2.5", SATA 3.0, микросхемы SLC, последовательный доступ: 540/490 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
536,00 BYN
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/480 MBps
В корзину
Под заказ
3 дня
358,60 BYN
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1400 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
В корзину
Под заказ
3 дня
589,60 BYN
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1500 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
В корзину