| Основные |
| Объём | 1 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Размеры M.2 | 2280 |
| Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
| Скорость последовательного чтения | 7450 МБ/с |
| Скорость последовательной записи | 6900 МБ/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 1200000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 1550000 IOps |
| Ресурс записи | 600 TBW |
| Охлаждение | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Буфер | 1024 МБ |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 ч |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5.4 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.05 Вт |
Характеристики
|
Импортер
|
ООО "Джетсервис" г. Минск, ул. Кнорина 6Б
|
|
Срок службы (мес)
|
-
|
|
Производитель
|
Samsung Electronics Co., Ltd.; ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ., г. Москва, Бол. Гнездниковский пер. д 1, стр 2
|
|
Представитель, ремонтная организация
|
Частное предприятие "РОНАЛЕКС" г.Барановичи, ул.Брестская 273 вход с торца здания
|
|
Гарантийный срок (мес)
|
24
|
У этого товара нет ни одного отзыва. Вы можете стать первым.
